STP36N55M5 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

• Маркировка
  STP36N55M5
• Производитель
  STMicroelectronics
• Описание
  STMicroelectronics STP36N55M5 Configuration: Single Continuous Drain Current: 20.8 A Drain-source Breakdown Voltage: 550 V Gate Charge Qg: 72 nC Gate-source Breakdown Voltage: 25 V Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220 Power Dissipation: 190 W Resistance Drain-source Rds (on): 0.08 Ohms Rohs: yes Transistor Polarity: N-Channel RoHS: yes Drain-Source Breakdown Voltage: 550 V Gate-Source Breakdown Voltage: 25 V Resistance Drain-Source RDS (on): 0.08 Ohms
• Количество страниц
  15 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet STP36N55M5.pdf
Файл формата Pdf 426,55 KB