SUP90N06-05L-E3
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
SUP90N06-05L-E3 datasheet
-
МаркировкаSUP90N06-05L-E3
-
ПроизводительSiliconix
-
ОписаниеSiliconix SUP90N06-05L-E3 Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: 90 A Resistance Drain-Source RDS (on): 0.0049 Ohms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 175 C Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220AB Fall Time: 280 ns Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 300 W Rise Time: 130 ns Factory Pack Quantity: 500 Typical Turn-Off Delay Time: 110 ns
-
Количество страниц6 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
27.05.2024
26.05.2024
25.05.2024